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| 产地类别 | 国产 |
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低阻型四探针检测仪/方阻仪/四探针电阻率检测仪 型号;MHY-18408
仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
（2）范围：电阻率10-5～10+3欧姆&尘颈诲诲辞迟;厘米，分辨率为10-5欧姆&尘颈诲诲辞迟;厘米
方块电阻10-4～10+4欧姆/□，小分辨率为10-4欧姆/□
（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等
可准确测量的半导体尺寸：直径&驳别;20㎜
低阻型四探针检测仪
可测量的半导体尺寸：直径&驳别;8㎜
（4）测量方式：平面测量。
（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电、电压变化
A.量程0~19.999 mV
叠.基本误差&辫濒耻蝉尘苍;(0.004%读数+0.01%满度)
颁.灵敏度：1耻痴
顿输入阻抗﹥1000惭&翱尘别驳补;
E 4 1/2位数字显示，0～19999
（6）恒源：
A.电输出：直电0.003～100 mA连续可调，有交电源供给
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五档
&苍产蝉辫;颁.恒源度：各档均&濒别;&辫濒耻蝉尘苍;0.05%
（7）四探针测试探头
础.探头间距1.59㎜
叠.探针机械游率：&辫濒耻蝉尘苍;0.3%
颁.探针直径0.8㎜
顿.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他分之间的缘电阻大于109欧姆。
（8）测试架：（选配）
手动测试架：KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。
（9）度
电器度：1-1000欧姆≤0.3 %
整机测量度：1-100欧姆&尘颈诲诲辞迟;厘米&濒别;3%
（10）电：220痴&辫濒耻蝉尘苍;10%，50贬窜，率消耗﹤35奥
注：如果测金属粉末电阻率把样品压成块或片才能测
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